TZX9V1D-TR中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.5V @200mA
耗散功率 500 mW
测试电流 5 mA
稳压值 9.3 V
额定功率Max 500 mW
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-35
外形尺寸
长度 3.9 mm
宽度 1.7 mm
高度 1.7 mm
封装 DO-35
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 无铅
TZX9V1D-TR引脚图与封装图
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在线购买TZX9V1D-TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TZX9V1D-TR | Vishay Semiconductor 威世 | Diode Zener Single 9.3V 2% 0.5W1/2W 2Pin DO-35 T/R | 搜索库存 |
替代型号TZX9V1D-TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TZX9V1D-TR 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-35 | 当前型号 | Diode Zener Single 9.3V 2% 0.5W1/2W 2Pin DO-35 T/R | 当前型号 |
| 型号： TZX9V1A-TR 品牌： 威世 封装： DO-35 | 类似代替 | 500mW，TZX 系列，Vishay Semiconductor小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 低反向电流电平 非常高的稳定性 低噪声 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor | TZX9V1D-TR和TZX9V1A-TR的区别 |
| 型号： TZX9V1B-TR 品牌： 威世 封装： DO-35 | 类似代替 | Diode Zener Single 8.9V 2% 0.5W1/2W 2Pin DO-35 T/R | TZX9V1D-TR和TZX9V1B-TR的区别 |
| 型号： TZX10D-TR 品牌： 威世 封装： DO-35 | 功能相似 | 500mW，TZX 系列，Vishay Semiconductor小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 低反向电流电平 非常高的稳定性 低噪声 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor | TZX9V1D-TR和TZX10D-TR的区别 |