TF262TH-4-TL-H中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 100 mW
输入电容Ciss 3.5pF @2VVds
额定功率Max 100 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SMD-3
外形尺寸
高度 0.36 mm
封装 SMD-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TF262TH-4-TL-H引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TF262TH-4-TL-H | ON Semiconductor 安森美 | JFET N-CH 1mA 0.1W1/10W | 搜索库存 |