TSM3424CX6
数据手册.pdf
Taiwan Semiconductor
台湾半导体
分立器件
TSM3424CX6中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.023 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 1.4 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 6.7A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
引脚数 6
封装 SOT-26
外形尺寸
封装 SOT-26
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
TSM3424CX6引脚图与封装图
暂无图片
在线购买TSM3424CX6
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TSM3424CX6 | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM3424CX6 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.7 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1.4 V | 搜索库存 |
替代型号TSM3424CX6
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TSM3424CX6 品牌： Taiwan Semiconductor 台湾半导体 封装： SOT-26 N-Channel 30V 6.7A | 当前型号 | TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM3424CX6 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.7 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1.4 V | 当前型号 |
| 型号： SI3424BDV-T1-E3 品牌： 威世 封装： N-Channel 30V 8A | 功能相似 | N通道30 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30-V D-S MOSFET | TSM3424CX6和SI3424BDV-T1-E3的区别 |