TSM2312CX
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Taiwan Semiconductor
台湾半导体
分立器件
TSM2312CX中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.027 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 750 mW
阈值电压 650 mV
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 5A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, Power Management, Industrial, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
TSM2312CX引脚图与封装图
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在线购买TSM2312CX
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TSM2312CX | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2312CX 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.9 A, 20 V, 0.027 ohm, 4.5 V, 650 mV | 搜索库存 |
替代型号TSM2312CX
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TSM2312CX 品牌： Taiwan Semiconductor 台湾半导体 封装： SOT-23 N-Channel 20V 5A | 当前型号 | TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2312CX 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.9 A, 20 V, 0.027 ohm, 4.5 V, 650 mV | 当前型号 |
| 型号： PMV33UPE 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23 P-Channel | 功能相似 | NXP PMV33UPE 晶体管, MOSFET, P沟道, -5.3 A, -20 V, 0.03 ohm, -4.5 V, -700 mV | TSM2312CX和PMV33UPE的区别 |