TSM2311CX

Taiwan Semiconductor 台湾半导体分立器件

TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2311CX 晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -20 V, 0.045 ohm, -4.5 V, -600 mV

The is a P-channel MOSFET with advanced Trench process technology and ±8V gate source voltage.

e络盟:
TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2311CX 晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -20 V, 0.045 ohm, -4.5 V, -600 mV

TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; SOT23

TSM2311CX中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.045 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 900 mW

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 4A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Audio, 音频, 信号处理, Signal Processing

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

TSM2311CX引脚图与封装图

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TSM2311CX	Taiwan Semiconductor 台湾半导体	TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2311CX 晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -20 V, 0.045 ohm, -4.5 V, -600 mV	搜索库存