TSM2306CX

Taiwan Semiconductor 台湾半导体分立器件

TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2306CX 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 30 V, 0.046 ohm, 10 V, 1 V

The is a 30V N-channel Power MOSFET with high density cell design for ultra low on-resistance and advance trench process technology.

TSM2306CX中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.046 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.25 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 6.7A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

TSM2306CX引脚图与封装图

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TSM2306CX	Taiwan Semiconductor 台湾半导体	TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2306CX 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 30 V, 0.046 ohm, 10 V, 1 V	搜索库存