TSM2302CX

Taiwan Semiconductor 台湾半导体分立器件

TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2302CX 晶体管, MOSFET, 低电压, N沟道, 2.4 A, 20 V, 65 mohm, 4.5 V, 450 mV

The is a 20V N-channel Power MOSFET with high density cell design for ultra low on-resistance and advance Trench process technology.

TSM2302CX中文资料参数规格

技术参数

额定功率 1.5 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.065 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 250 mW

阈值电压 450 mV

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 2.40 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

TSM2302CX引脚图与封装图

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TSM2302CX	Taiwan Semiconductor 台湾半导体	TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2302CX 晶体管, MOSFET, 低电压, N沟道, 2.4 A, 20 V, 65 mohm, 4.5 V, 450 mV	搜索库存