TSM2314CX

Taiwan Semiconductor 台湾半导体分立器件

TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2314CX 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.9 A, 20 V, 0.027 ohm, 4.5 V, 850 mV

The is a N-channel MOSFET with advanced Trench process technology and ±12V gate source voltage.

贸泽:
MOSFET 20V N channel MOSFET

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23

Newark:
# TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2314CX MOSFET Transistor, N Channel, 4.9 A, 20 V, 0.027 ohm, 4.5 V, 850 mV

TSM2314CX中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.027 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.25 W

阈值电压 850 mV

漏源极电压Vds 20 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用音频, Audio, Signal Processing, 信号处理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

TSM2314CX引脚图与封装图

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TSM2314CX	Taiwan Semiconductor 台湾半导体	TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2314CX 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.9 A, 20 V, 0.027 ohm, 4.5 V, 850 mV	搜索库存