TSM1N45CT
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Taiwan Semiconductor
台湾半导体
分立器件
TSM1N45CT中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 3.7 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 450 V
漏源击穿电压 450 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
TSM1N45CT引脚图与封装图
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在线购买TSM1N45CT
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TSM1N45CT | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM1N45CT 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 450 V, 3.7 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
替代型号TSM1N45CT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TSM1N45CT 品牌： Taiwan Semiconductor 台湾半导体 封装： TO-92 N-Channel | 当前型号 | TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM1N45CT 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 450 V, 3.7 ohm, 10 V, 3 V | 当前型号 |
| 型号： STQ1HNK60R-AP 品牌： 意法半导体 封装： TO-92 N-Channel 500mA | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STQ1HNK60R-AP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 400 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V | TSM1N45CT和STQ1HNK60R-AP的区别 |