STGD20N45LZAG
数据手册.pdfST Microelectronics(意法半导体)
电子元器件分类
针脚数 3
耗散功率 125 W
击穿电压集电极-发射极 450 V
额定功率Max 125 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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STGD20N45LZAG | ST Microelectronics 意法半导体 | 单晶体管, IGBT, 25 A, 450 V, 125 W, 1.1 V, TO-252, 3 引脚 | 搜索库存 |