SIR626DP-T1-RE3

VISHAY(威世) 电子元器件分类

晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0014 ohm, 10 V, 3.4 V

MOSFET N-CH 60V 100A POWERPAKSO

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N沟道 60V 100A

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晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0014 ohm, 10 V, 3.4 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.2A; 4W; PowerPAK® SO8

Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

SIR626DP-T1-RE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0014 Ω

耗散功率 6.25 W

阈值电压 3.4 V

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 5130pF @30VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 6250 mW

封装参数

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SIR626DP-T1-RE3引脚图与封装图

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