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SXTA42TA
Diodes(美台) 分立器件

SXTA42 系列 NPN 300 V 500 mA 1 W 高压 晶体管 - SOT-89

Design various electronic circuits with this versatile NPN GP BJT from Zetex. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 1000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 300 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.

SXTA42TA中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

额定电压DC 300 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 40 @30mA, 10V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89-3

外形尺寸

封装 SOT-89-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

SXTA42TA引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SXTA42TA Diodes 美台 SXTA42 系列 NPN 300 V 500 mA 1 W 高压 晶体管 - SOT-89 搜索库存
替代型号SXTA42TA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SXTA42TA

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-89-3 NPN 300V 500mA 1000mW

当前型号

SXTA42 系列 NPN 300 V 500 mA 1 W 高压 晶体管 - SOT-89

当前型号

型号: DXTA42-13

品牌: 美台

封装: SOT-89-3 NPN 1000mW

类似代替

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 4Pin3+Tab SOT-89 T/R

SXTA42TA和DXTA42-13的区别