
额定电压DC 30.0 V
额定功率 600 W
击穿电压 38.3 V
耗散功率 600 W
钳位电压 48.4 V
最大反向电压(Vrrm) 30V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 33.3 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
工作结温 -55℃ ~ 150℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SMB
长度 4.57 mm
宽度 3.9 mm
高度 2.62 mm
封装 SMB
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead

SMBJ30CA-13引脚图

SMBJ30CA-13封装图

SMBJ30CA-13封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
SMBJ30CA-13 | Diodes 美台 | TVS BI-DIR 30V 600W SMB | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: SMBJ30CA-13 品牌: Diodes 美台 封装: SMB 30V 600W | 当前型号 | TVS BI-DIR 30V 600W SMB | 当前型号 | |
型号: SMBJ30CA-13-F 品牌: 美台 封装: SMB 30V 600W | 类似代替 | SMBJ30CA-13-F 编带 | SMBJ30CA-13和SMBJ30CA-13-F的区别 | |
型号: SMBJ30CA-TP 品牌: 美微科 封装: SMB 30V 600W | 功能相似 | SMBJ30CA-TP 编带 | SMBJ30CA-13和SMBJ30CA-TP的区别 | |
型号: SMBJ30C 品牌: 力特 封装: DO-214AA 30V 600W | 功能相似 | 硅雪崩二极管 - 600W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors | SMBJ30CA-13和SMBJ30C的区别 |