额定电压DC 70.0 V
工作电压 70 V
额定功率 400 W
击穿电压 77.8 V
耗散功率 400 W
钳位电压 113 V
最大反向电压（Vrrm） 70V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 400 W
最小反向击穿电压 77.8 V
击穿电压 77.8 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SMA
长度 4.6 mm
宽度 2.92 mm
高度 2.30 mm
封装 SMA
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SMAJ70A-13-F引脚图
SMAJ70A-13-F封装图
SMAJ70A-13-F封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMAJ70A-13-F | Diodes 美台 | SMAJ70A-13-F 编带 | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMAJ70A-13-F 品牌： Diodes 美台 封装： SMA 70V 400W | 当前型号 | SMAJ70A-13-F 编带 | 当前型号 |
| 型号： SMAJ70A-TP 品牌： 美微科 封装： SMA 70V 400W | 完全替代 | 单向 70V | SMAJ70A-13-F和SMAJ70A-TP的区别 |
| 型号： SMAT70A-13-F 品牌： 美台 封装： SMA 70V 400W | 类似代替 | 400 W 70 V 单向 瞬态电压抑制器 二极管 - DO-214AC | SMAJ70A-13-F和SMAT70A-13-F的区别 |
| 型号： 1SMA70AT3G 品牌： 安森美 封装： SMA | 功能相似 | 400W 齐纳瞬态电压抑制器（单向）齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力，具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor | SMAJ70A-13-F和1SMA70AT3G的区别 |
