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STGWT15H60F

STGWT15H60F

数据手册.pdf

单晶体管, IGBT, 沟槽栅式, 30 A, 1.6 V, 115 W, 600 V, TO-3P, 3 引脚

IGBT 沟槽型场截止 600 V 30 A 115 W 通孔 TO-3P


得捷:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT H SE


贸泽:
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed


e络盟:
单晶体管, IGBT, 沟槽栅式, 30 A, 1.6 V, 115 W, 600 V, TO-3P, 3 引脚


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115000mW 3-Pin3+Tab TO-3P Tube


STGWT15H60F中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 115 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 115 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 115000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

STGWT15H60F引脚图与封装图
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STGWT15H60F ST Microelectronics 意法半导体 单晶体管, IGBT, 沟槽栅式, 30 A, 1.6 V, 115 W, 600 V, TO-3P, 3 引脚 搜索库存