STGWT15H60F
数据手册.pdfST Microelectronics(意法半导体)
电子元器件分类
针脚数 3
耗散功率 115 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 115 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 115000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
封装 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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STGWT15H60F | ST Microelectronics 意法半导体 | 单晶体管, IGBT, 沟槽栅式, 30 A, 1.6 V, 115 W, 600 V, TO-3P, 3 引脚 | 搜索库存 |