STGWA40H65FB

ST Microelectronics(意法半导体) 电子元器件分类

单晶体管, IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-247, 3 引脚

IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 283 W 通孔 TO-247 长引线

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STGWA40H65FB

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IGBT

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单晶体管, IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-247, 3 引脚

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Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

STGWA40H65FB中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

耗散功率 283 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

额定功率Max 283 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 283000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STGWA40H65FB引脚图与封装图

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STGWA40H65FB	ST Microelectronics 意法半导体	单晶体管, IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-247, 3 引脚	搜索库存