SQJ416EP-T1_GE3

VISHAY(威世) 电子元器件分类

Trans MOSFET N-CH 100V 27A Automotive 5Pin4+Tab PowerPAK SO T/R

MOSFET N-CH 100V 27A POWERPAKSO

立创商城:
SQJ416EP-T1_GE3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 27A Automotive 5-Pin4+Tab PowerPAK SO T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 27A Automotive 5-Pin4+Tab PowerPAK SO T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 27A PPAK SO-8 / N-Channel 100 V 27A Tc 45W Tc Surface Mount PowerPAK® SO-8

SQJ416EP-T1_GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 45 W

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 580pF @25VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 45000 mW

封装参数

引脚数 5

封装 PowerPAKSO-8L-4

外形尺寸

长度 6.15 mm

宽度 5.13 mm

高度 1.04 mm

封装 PowerPAKSO-8L-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

海关信息

ECCN代码 EAR99

SQJ416EP-T1_GE3引脚图与封装图

暂无图片

在线购买SQJ416EP-T1_GE3

型号	制造商	描述	购买
SQJ416EP-T1_GE3	VISHAY 威世	Trans MOSFET N-CH 100V 27A Automotive 5Pin4+Tab PowerPAK SO T/R	搜索库存