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STPSC30H12CWL

STPSC30H12CWL

数据手册.pdf

二极管, 碳化硅肖特基, 双共阴极, 1.2 kV, 30 A, 94 nC, TO-247

STMicroelectronics公司的肖特基碳化硅二极管是一款SiC器件, 具有出色的性能。与硅器件相比, 可提供两倍到三倍的带隙带宽, 这意味着SIC器件可以承受更高的电压和电场。低反向恢复特性, 低正向电压, 提高所有系统的效率和节能效果。适用于SMPS应用, 以及太阳能转换, EV或HEV充电站等。该产品可选择600V至1200V输入, 通孔和SMD封装。


欧时:
STPSC30H12CWL, 1200V SiC Schottky Diode


得捷:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247


艾睿:
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 76A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
1200 V power Schottky silicon carbide diode


Verical:
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 76A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Win Source:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 / Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200 V 38A Through Hole TO-247-3


STPSC30H12CWL中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.5 V

反向恢复时间 0 ns

正向电流 76000 mA

正向电压Max 1.5V @15A

正向电流Max 76 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

工作结温Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

STPSC30H12CWL引脚图与封装图
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STPSC30H12CWL ST Microelectronics 意法半导体 二极管, 碳化硅肖特基, 双共阴极, 1.2 kV, 30 A, 94 nC, TO-247 搜索库存