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STPSC5H12D

STPSC5H12D

数据手册.pdf

二极管, 碳化硅肖特基, 单, 1.2 kV, 5 A, 36 nC, TO-220AC

STMicroelectronics公司的肖特基碳化硅二极管是一款SiC器件, 具有出色的性能。与硅器件相比, 可提供两倍到三倍的带隙带宽, 这意味着SIC器件可以承受更高的电压和电场。低反向恢复特性, 低正向电压, 提高所有系统的效率和节能效果。适用于SMPS应用, 以及太阳能转换, EV或HEV充电站等。该产品可选择600V至1200V输入, 通孔和SMD封装。


得捷:
DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220AC


欧时:
STPSC5H12D, 1200V SiC Schottky Diode


贸泽:
肖特基二极管与整流器 1200 V power Schottky silicon carbide diode


艾睿:
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin2+Tab TO-220AC Tube


安富利:
1200 V power Schottky silicon carbide diode


Verical:
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin2+Tab TO-220AC Tube


STPSC5H12D中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.5V @5A

正向电流 10000 mA

正向电流Max 10 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

工作结温Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-220-2

外形尺寸

封装 TO-220-2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

STPSC5H12D引脚图与封装图
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STPSC5H12D ST Microelectronics 意法半导体 二极管, 碳化硅肖特基, 单, 1.2 kV, 5 A, 36 nC, TO-220AC 搜索库存