STLD200N4F6AG

ST Microelectronics(意法半导体) 电子元器件分类

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8Pin Power Flat EP T/R

表面贴装型 N 通道 120A（Tc） 158W（Tc） PowerFlat™（5x6）双面

得捷:
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin Power Flat EP T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin PowerFLAT T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin Power Flat EP T/R

STLD200N4F6AG中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 158 W

漏源极电压Vds 40 V

上升时间 440 ns

输入电容Ciss 10700pF @10VVds

下降时间 410 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 158W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerSMD-8

外形尺寸

封装 PowerSMD-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

STLD200N4F6AG引脚图与封装图

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