SIRA20DP-T1-RE3

VISHAY(威世) 电子元器件分类

晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 480 µohm, 10 V, 2.1 V

N-Channel 25 V D-S MOSFET

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N沟道 25V 100A 81.7A

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晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 480 µohm, 10 V, 2.1 V

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Trans MOSFET N-CH 25V 81.7A 8-Pin PowerPAK SO EP

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Transistor MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin PowerPAK SO T/R

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Trans MOSFET N-CH 25V 81.7A 8-Pin PowerPAK SO EP

SIRA20DP-T1-RE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

耗散功率 6.25 W

阈值电压 2.1 V

漏源极电压Vds 25 V

上升时间 95 ns

输入电容Ciss 10850pF @10VVds

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 6250 mW

封装参数

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

SIRA20DP-T1-RE3引脚图与封装图

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