SQM70060EL_GE3

VISHAY(威世) 电子元器件分类

N-CH 100V

MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK

Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 75A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK / N-Channel 100 V 75A Tc 166W Tc Surface Mount TO-263 D²Pak

SQM70060EL_GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 166 W

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 21 ns

输入电容Ciss 4170pF @25VVds

下降时间 13 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 166000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

SQM70060EL_GE3引脚图与封装图

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