SUD80460E-GE3

VISHAY(威世) 电子元器件分类

晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 150 V, 0.0372 ohm, 10 V, 4 V

MOSFET N-Chan 150V DPAK TO-252

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Trans MOSFET N-CH 150V 42A 3-Pin2+Tab TO-252AA

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Trans MOSFET N-CH 150V 42A 3-Pin2+Tab TO-252AA

SUD80460E-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0372 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 65.2 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 150 V

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 560pF @50VVds

下降时间 30 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 65200 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

符合标准

RoHS标准

SUD80460E-GE3引脚图与封装图

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