锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

SQ2303ES-T1_GE3

SQ2303ES-T1_GE3

数据手册.pdf
VISHAY(威世) 电子元器件分类

SQ2303ES-T1_GE3 编带

MOSFET


立创商城:
P沟道 30V 2.5A


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
SQ2303ES-T1_GE3


Win Source:
MOSFET P-CHAN 30V SOT23


SQ2303ES-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 370 mΩ

极性 P-CH

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 2.5A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 168pF @25VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.9W Tc

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.60 mm

高度 1.45 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SQ2303ES-T1_GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SQ2303ES-T1_GE3
型号 制造商 描述 购买
SQ2303ES-T1_GE3 VISHAY 威世 SQ2303ES-T1_GE3 编带 搜索库存