SQ4850EY-T1_GE3

N 通道 MOSFET，汽车 SQ 坚固系列，Vishay Semiconductor来自 Vishay Semiconductor 的**SQ** 系列 MOSFET 适用于要求坚固性和高可靠性的汽车应用。### SQ 坚固系列 MOSFET 的优点• 符合 AEC-Q101 标准 • 接点温度高达 +175°C • 低导通电阻 n - 和 p - 通道 TrenchFET® 技术 • 创新型节省空间封装选项### 认可AEC-Q101### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

N 通道 MOSFET，汽车 SQ 坚固系列，Vishay Semiconductor

来自 Vishay Semiconductor 的

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*SQ** 系列 MOSFET 适用于要求坚固性和高可靠性的汽车应用。

### SQ 坚固系列 MOSFET 的优点

• 符合 AEC-Q101 标准

• 接点温度高达 +175°C

• 低导通电阻 n - 和 p - 通道 TrenchFET® 技术

• 创新型节省空间封装选项

### 认可

AEC-Q101

欧时:
Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQ4850EY-T1_GE3, 12 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装

立创商城:
SQ4850EY-T1_GE3

艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this SQ4850EY-T1_GE3 power MOSFET from Vishay. Its maximum power dissipation is 6800 mW. This device is made with TrenchFET technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R