SQM40010EL_GE3
数据手册.pdfVISHAY(威世)
分立器件
SQM40010EL_GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.00121 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 375 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 40 V
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 13630pF @20VVds
下降时间 14 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 375000 mW
封装参数
引脚数 3
封装 TO-263
外形尺寸
封装 TO-263
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
海关信息
ECCN代码 EAR99
SQM40010EL_GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SQM40010EL_GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SQM40010EL_GE3 | VISHAY 威世 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.00121 ohm, 10 V, 2 V | 搜索库存 |