SUM70060E-GE3

VISHAY(威世) 电子元器件分类

N沟道,100V,131A,0.0056Ω@10V

N-CHANNEL 100-V D-S MOSFET

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N-CHANNEL 100-V D-S MOSFET

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N沟道 100V 131A

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Trans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin2+Tab D2PAK

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Trans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin2+Tab D2PAK

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MOSFET N-CH 100V 131A TO263 / N-Channel 100 V 131A Tc 375W Tc Surface Mount TO-263 D²Pak

SUM70060E-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 4.6 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 375 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 131A

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 3330pF @50VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

其他

最小包装 800

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

SUM70060E-GE3引脚图与封装图

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