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SIHG64N65E-GE3

SIHG64N65E-GE3

数据手册.pdf
VISHAY(威世) 分立器件

N 通道 MOSFET,E 系列,低品质因数,Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管,具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 PFC 和开关模式电源 SMPS。### 特点低灵敏值 FOM RDSon x Qg 低输入电容 Ciss 低接通电阻(RDS(接通)) 超低栅极电荷 Qg 快速切换 减少切换和传导损耗### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

N 通道 MOSFET,E 系列,低品质因数,Vishay Semiconductor

Vishay E 系列 MOSFET 电源是高电压,具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 PFC 和开关模式电源 SMPS。

### 特点

低灵敏值 FOM RDSon x Qg

低输入电容 Ciss

低接通电阻(RDS(接通))

超低栅极电荷 Qg

快速切换

减少切换和传导损耗

### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


欧时:
Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG64N65E-GE3, 64 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247AC封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 64A


SIHG64N65E-GE3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 64A

上升时间 122 ns

输入电容Ciss 7497pF @100VVds

下降时间 103 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 520 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SIHG64N65E-GE3引脚图与封装图
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SIHG64N65E-GE3 VISHAY 威世 N 通道 MOSFET,E 系列,低品质因数,Vishay Semiconductor Vishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管,具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 PFC 和开关模式电源 SMPS。 ### 特点 低灵敏值 FOM RDSon x Qg 低输入电容 Ciss 低接通电阻(RDS(接通)) 超低栅极电荷 Qg 快速切换 减少切换和传导损耗 ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor 搜索库存