STGW40H65DFB-4

ST Microelectronics(意法半导体) 电子元器件分类

单晶体管, IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-247, 4 引脚

IGBT 沟槽型场截止通孔 TO-247-4L

得捷:
IGBT

贸泽:
STMicroelectronics Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed

e络盟:
单晶体管, IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-247, 4 引脚

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 4-Pin4+Tab TO-247 Tube

STGW40H65DFB-4中文资料参数规格

技术参数

针脚数 4

耗散功率 283 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 62 ns

额定功率Max 283 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 283000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 4

封装 TO-247-4

外形尺寸

封装 TO-247-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

STGW40H65DFB-4引脚图与封装图

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STGW40H65DFB-4	ST Microelectronics 意法半导体	单晶体管, IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-247, 4 引脚	搜索库存