SIR664DP-T1-GE3
数据手册.pdfVISHAY(威世)
分立器件
SIR664DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 6 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 5 W
阈值电压 1.3V ~ 2.5V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 60A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 1750pF @30VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 5000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerPAKSO-8
外形尺寸
封装 PowerPAKSO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 2500
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIR664DP-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIR664DP-T1-GE3 | VISHAY 威世 | SOIC-8 N-CH 60V 60A 6mΩ | 搜索库存 |