SSTA56HZGT116

ROHM Semiconductor 罗姆半导体电子元器件分类

单晶体管双极, PNP, -80 V, 50 MHz, 350 mW, -500 mA, 100 hFE

Bipolar BJT Transistor PNP 80V 500mA 50MHz 200mW Surface Mount SST3

欧时:
PNP Transistor

得捷:
PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP SOT-23 -0.5A -80V VCEO

e络盟:
单晶体管双极, PNP, -80 V, 50 MHz, 350 mW, -500 mA, 100 hFE

艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

SSTA56HZGT116中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.35 W

针脚数 3

耗散功率 350 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 100

额定功率Max 200 mW

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

SSTA56HZGT116引脚图与封装图

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SSTA56HZGT116	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	单晶体管双极, PNP, -80 V, 50 MHz, 350 mW, -500 mA, 100 hFE	搜索库存