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SCT2750NYTB

SCT2750NYTB

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

SCT2750NYTB 编带

表面贴装型 N 通道 1700 V 5.9A(Tc) 57W(Tc) TO-268


得捷:
SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268


立创商城:
N沟道 1.7kV 5.9A


贸泽:
MOSFET N-Ch 1700V 6A 57W SiC Silicon Carbide


艾睿:
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.9A 3-Pin2+Tab TO-268L T/R


安富利:
MOSFET, Power, N-Channel, SiC, 1700Vdc, 0.75 Ohm, 6A, TO-268-2l Pkg 15.95x13.9x5.0mm, 13"T&R; 800


SCT2750NYTB中文资料参数规格
技术参数

针脚数 2

漏源极电阻 0.75 Ω

耗散功率 57 W

阈值电压 2.8 V

漏源极电压Vds 1700 V

上升时间 24 ns

输入电容Ciss 275pF @800VVds

下降时间 63 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 57W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

SCT2750NYTB引脚图与封装图
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在线购买SCT2750NYTB
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