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STP14N80K5

STP14N80K5

数据手册.pdf

N-CH 800V 12A

通孔 N 通道 12A(Tc) 130W(Tc) TO-220


得捷:
MOSFET N-CHANNEL 800V 12A TO220


贸泽:
MOSFET N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
MOS Power Transistors HV >= 200V


Win Source:
MOSFET N-CHANNEL 800V 12A TO220 / N-Channel 800 V 12A Tc 130W Tc Through Hole TO-220


STP14N80K5中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 130000 mW

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 12A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 620pF @100VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 130000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead free

STP14N80K5引脚图与封装图
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STP14N80K5 ST Microelectronics 意法半导体 N-CH 800V 12A 搜索库存