SST2907AHZGT116
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
电子元器件分类
SST2907AHZGT116中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.35 W
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 350 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 75
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
SST2907AHZGT116引脚图与封装图 
SST2907AHZGT116引脚图
SST2907AHZGT116封装图
SST2907AHZGT116封装焊盘图
在线购买SST2907AHZGT116
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SST2907AHZGT116 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 350 mW, -600 mA, 75 hFE | 搜索库存 |