SQ2301ES-T1_GE3

VISHAY(威世) 分立器件

晶体管, MOSFET, P沟道, -3.9 A, -20 V, 0.08 ohm, -4.5 V, -1.5 V

MOSFET

欧时:
AEQC101 Qualified P-CHANNEL 20-V D-S 1

e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.9 A, -20 V, 0.08 ohm, -4.5 V, -1.5 V

艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

SQ2301ES-T1_GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.08 Ω

极性 P-CH

耗散功率 3 W

阈值电压 450 mV

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 3.9A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 340pF @10VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TA

其他

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SQ2301ES-T1_GE3引脚图与封装图

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