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SST4401HZGT116

SST4401HZGT116

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 电子元器件分类

单晶体管 双极, NPN, 40 V, 250 MHz, 350 mW, 600 mA, 40 hFE

Bipolar BJT Transistor NPN 40V 600mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3


欧时:
NPN Medium Power Transistor


得捷:
TRANS NPN 40V 0.6A SST3


贸泽:
ROHM Semiconductor


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 250 MHz, 350 mW, 600 mA, 40 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
ROHSST4401HZGT116


SST4401HZGT116中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.35 W

针脚数 3

耗散功率 350 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 300

额定功率Max 200 mW

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

SST4401HZGT116引脚图与封装图
SST4401HZGT116引脚图

SST4401HZGT116引脚图

SST4401HZGT116封装图

SST4401HZGT116封装图

SST4401HZGT116封装焊盘图

SST4401HZGT116封装焊盘图

在线购买SST4401HZGT116
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SST4401HZGT116 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 250 MHz, 350 mW, 600 mA, 40 hFE 搜索库存