SIS780DN-T1-GE3
数据手册.pdfVISHAY(威世)
电子元器件分类
SIS780DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 11 mΩ
极性 N-CH
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 18A
输入电容Ciss 722pF @15VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3500 mW
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPak-1212-8
外形尺寸
封装 PowerPak-1212-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 3000
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIS780DN-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIS780DN-T1-GE3 | VISHAY 威世 | N沟道30 V （ D- S）的MOSFET与肖特基二极管 N-Channel 30 V D-S MOSFET with Schottky Diode | 搜索库存 |