SQ1470AEH-T1_GE3

VISHAY(威世) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 6Pin SOT-363 T/R

MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70

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SQ1470AEH-T1_GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3.3 W

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 350pF @15VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3300 mW

封装参数

引脚数 6

封装 SC-70

外形尺寸

封装 SC-70

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

SQ1470AEH-T1_GE3引脚图与封装图

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