SUM70090E-GE3

VISHAY(威世) 分立器件

TO-263-3 N-CH 100V 50A 7.4mΩ

N-CHANNEL 100-V D-S MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin2+Tab D2PAK

安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin TO-263 T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin2+Tab D2PAK

SUM70090E-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 7.4 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 125 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 50A

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 1950pF @50VVds

下降时间 45 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

最小包装 800

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

海关信息

ECCN代码 EAR99

SUM70090E-GE3引脚图与封装图

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