SIHG23N60E-GE3
数据手册.pdfVISHAY(威世)
电子元器件分类
SIHG23N60E-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 158 mΩ
极性 N-CH
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 23A
上升时间 38 ns
输入电容Ciss 2418pF @100VVds
下降时间 34 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 227000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
最小包装 500
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIHG23N60E-GE3引脚图与封装图
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