SI3127DV-T1-GE3
数据手册.pdfVISHAY(威世)
分立器件
SI3127DV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 146 mΩ
极性 P-CH
耗散功率 2 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 5.1A
上升时间 28 ns
输入电容Ciss 832pF @30VVds
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2W Ta, 4.2W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP-6
外形尺寸
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
高度 1.10 mm
封装 TSOP-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 3000
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI3127DV-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI3127DV-T1-GE3 | VISHAY 威世 | TSOP-6P-CH 60V 5.1A 146mΩ | 搜索库存 |