漏源极电阻 55.0 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 1.30 W
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids -3.90 A
安装方式 Surface Mount
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI5441DC-T1 | Vishay Siliconix | MOSFET 20V 5.3A 2.5W | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SI5441DC-T1 品牌: Vishay Siliconix 封装: P-Channel 3.9A 55mΩ | 当前型号 | MOSFET 20V 5.3A 2.5W | 当前型号 | |
型号: SI5441DC 品牌: Vishay Siliconix 封装: P-Channel 55mΩ | 完全替代 | P-Channel 2.5V G-S MOSFET | SI5441DC-T1和SI5441DC的区别 | |
型号: SI5433BDC-T1-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: 8-SMD | 功能相似 | MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8 | SI5441DC-T1和SI5433BDC-T1-E3的区别 | |
型号: SI5433BDC-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: 8-SMD | 功能相似 | MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8 | SI5441DC-T1和SI5433BDC-T1-GE3的区别 |