SI1900DL-T1-GE3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
漏源极电压Vds 30 V
额定功率Max 300mW, 270mW
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-363-6
长度 2.1 mm
宽度 1.25 mm
高度 1 mm
封装 SOT-363-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI1900DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET Dual 30V N-CH TRENCH | 搜索库存 |