SI2307DS-T1-E3
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VISHAY
威世
分立器件
SI2307DS-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 80.0 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 1.25 W
漏源极电压Vds 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids -3.00 A
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SI2307DS-T1-E3引脚图与封装图
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