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SQ2315ES-T1_GE3

SQ2315ES-T1_GE3

数据手册.pdf
VISHAY(威世) 分立器件

P 通道 MOSFET,SQ 坚固系列,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

P 通道 MOSFET,SQ 坚固系列,Vishay Semiconductor


欧时:
Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQ2315ES-T1_GE3, 3 A, Vds=12 V, 3引脚 SOT-23封装


立创商城:
P沟道 12V 5A


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 12V 5A 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


SQ2315ES-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 90 mΩ

极性 P-Channel

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids 5A

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 870pF @4VVds

下降时间 13 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.02 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

SQ2315ES-T1_GE3引脚图与封装图
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