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SQJA90EP-T1_GE3

SQJA90EP-T1_GE3

数据手册.pdf
VISHAY(威世) 电子元器件分类

晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 80 V, 0.0063 ohm, 10 V, 3 V

表面贴装型-N-通道-80V-60A(Tc)-68W(Tc)-PowerPAK?-SO-8


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 80 V, 60 A, 0.0063 ohm, PowerPAK SO, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 60A Automotive 5-Pin4+Tab PowerPAK SO


安富利:
MOSFET N-Channel Automotive 80V 60A 4-Pin PowerPAK SO T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 80V 60A Automotive 5-Pin4+Tab PowerPAK SO


SQJA90EP-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数

额定功率 68 W

针脚数 8

漏源极电阻 0.0063 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 68 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 80 V

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 2629pF @25VVds

下降时间 19 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 68000 mW

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK SO

外形尺寸

封装 PowerPAK SO

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

SQJA90EP-T1_GE3引脚图与封装图
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SQJA90EP-T1_GE3 VISHAY 威世 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 80 V, 0.0063 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存