SQJA90EP-T1_GE3
数据手册.pdfVISHAY(威世)
电子元器件分类
额定功率 68 W
针脚数 8
漏源极电阻 0.0063 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 68 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 80 V
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 2629pF @25VVds
下降时间 19 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 68000 mW
引脚数 8
封装 PowerPAK SO
封装 PowerPAK SO
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
RoHS标准 RoHS Compliant
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
SQJA90EP-T1_GE3 | VISHAY 威世 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 80 V, 0.0063 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |