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SGH20N120RUFDTU

SGH20N120RUFDTU

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
SGH20N120RUFDTU中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 230 W

击穿电压集电极-发射极 1.20 kV

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SGH20N120RUFDTU引脚图与封装图
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在线购买SGH20N120RUFDTU
型号 制造商 描述 购买
SGH20N120RUFDTU Fairchild 飞兆/仙童 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 32A 230000mW 3Pin3+Tab TO-3P Rail 搜索库存
替代型号SGH20N120RUFDTU
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SGH20N120RUFDTU

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-3P-3 230W

当前型号

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 32A 230000mW 3Pin3+Tab TO-3P Rail

当前型号

型号: FGB20N6S2D

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-247 600V 28A 125W

功能相似

600V ,开关电源II系列N沟道IGBT与反并联二极管StealthTM 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode

SGH20N120RUFDTU和FGB20N6S2D的区别

型号: SGS23N60UFDTU

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-220F 600V 12A 73000mW

功能相似

高速开关 High speed switching

SGH20N120RUFDTU和SGS23N60UFDTU的区别

型号: HGT1S7N60C3D

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-220AB 60000mW

功能相似

14A , 600V , UFS系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes

SGH20N120RUFDTU和HGT1S7N60C3D的区别