耗散功率 230 W
击穿电压集电极-发射极 1.20 kV
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
封装 TO-3-3
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
SGH20N120RUFDTU | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 32A 230000mW 3Pin3+Tab TO-3P Rail | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: SGH20N120RUFDTU 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-3P-3 230W | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 32A 230000mW 3Pin3+Tab TO-3P Rail | 当前型号 | |
型号: FGB20N6S2D 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-247 600V 28A 125W | 功能相似 | 600V ,开关电源II系列N沟道IGBT与反并联二极管StealthTM 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode | SGH20N120RUFDTU和FGB20N6S2D的区别 | |
型号: SGS23N60UFDTU 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-220F 600V 12A 73000mW | 功能相似 | 高速开关 High speed switching | SGH20N120RUFDTU和SGS23N60UFDTU的区别 | |
型号: HGT1S7N60C3D 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-220AB 60000mW | 功能相似 | 14A , 600V , UFS系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes | SGH20N120RUFDTU和HGT1S7N60C3D的区别 |