SQJ457EP-T1_GE3
数据手册.pdfVISHAY(威世)
电子元器件分类
SQJ457EP-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 68 W
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 2600pF @25VVds
下降时间 6 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 68000 mW
封装参数
引脚数 5
封装 SO-8L
外形尺寸
封装 SO-8L
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
海关信息
ECCN代码 EAR99
SQJ457EP-T1_GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SQJ457EP-T1_GE3 | VISHAY 威世 | N-CH 100V | 搜索库存 |