SQM100N04-2M7_GE3

VISHAY(威世) 分立器件

TO-263-3 N-CH 40V 100A 2.7mΩ

N-CH 40-V TO-263

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK

安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin TO-263 T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 40V 100A TO-263

SQM100N04-2M7_GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 2.7 mΩ

极性 N-CH

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 6325pF @25VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 157W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 800

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SQM100N04-2M7_GE3引脚图与封装图

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SQM100N04-2M7_GE3	VISHAY 威世	TO-263-3 N-CH 40V 100A 2.7mΩ	搜索库存