工作电压 7.5 V
击穿电压 8.33 V
耗散功率 1.5 kW
钳位电压 12.9 V
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 8.33 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AB
封装 DO-214AB
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SMCJ7.5AHE3/57T | Vishay Semiconductor 威世 | Diode TVS Single Uni-Dir 7.5V 1.5kW 2Pin SMC T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SMCJ7.5AHE3/57T 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: DO-214 | 当前型号 | Diode TVS Single Uni-Dir 7.5V 1.5kW 2Pin SMC T/R | 当前型号 | |
型号: SMCJ7.5A-E3/57T 品牌: 威世 封装: DO-214AB | 完全替代 | Diode TVS Single Uni-Dir 7.5V 1.5kW 2Pin SMC T/R | SMCJ7.5AHE3/57T和SMCJ7.5A-E3/57T的区别 | |
型号: SMCJ7.5A-M3/9AT 品牌: 威世 封装: | 完全替代 | DIODE 1500W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2Pin, Transient Suppressor | SMCJ7.5AHE3/57T和SMCJ7.5A-M3/9AT的区别 | |
型号: SMCJ7.5HE3/57T 品牌: 威世 封装: DO-214 | 类似代替 | TVS 1.5kW UNIDIR 7.5V 10% SMC | SMCJ7.5AHE3/57T和SMCJ7.5HE3/57T的区别 |